名古屋大学大学院工学研究科の柴山茂久助教、鳥本昇汰博士前期課程学生、石本修斗博士前期課程学生（当時）、中塚理教授らによる研究グループは2025年8月、IV族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造（DBS）を形成する技術を開発したと発表した。この技術を用い、テラヘルツ（THz）発振に必要な共鳴トンネルダイオード（RTD）を試作し、室温（300K）での動作実証に成功した。
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/spv/2508/22/news052.html
IV族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造を形成する技術 [2aolHP★]
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